Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BVN

Версия для печати

Технические характеристики BC847BVN

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 300mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-666
Корпус SOT-666
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BC847BVN
Универсальные биполярные транзисторы

Npn / pnp General Purpose Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

bc847bvn.pdf
65.42Kb
8стр.