Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BPDW1T1G

Версия для печати

Технические характеристики BC847BPDW1T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SOT-363
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT3904 14640 1.34 руб. (от 100 шт.  0.67 руб.)
MMBT3906 42400 1.24 руб. (от 100 шт.  0.62 руб.)