Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PUMH10

Версия для печати

Технические характеристики PUMH10

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SC-88
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PUMH10
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

NPN / NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kohm, R2 = 47 kohm

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pumh10.pdf
56.55Kb
8стр.