Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PUMH1

Версия для печати

Технические характеристики PUMH1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус SC-88
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PUMH13

NPN / NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = 47 kOHM

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pumh13.pdf
61.3Kb
8стр.