Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBLS6001D

Версия для печати

Технические характеристики PBLS6001D

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 700mA
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Frequency - Transition 185MHz
Power - Max 600mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-74, SOT-457
Корпус 6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBLS6001D
Универсальные биполярные PNP транзисторы

60V PNP BISS loadswitch

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbls6001d.pdf
136.73Kb
16стр.