Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBLS4004V

Версия для печати

Технические характеристики PBLS4004V

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 40V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Frequency - Transition 300MHz
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SOT-666
Корпус SOT-666
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBLS4004V
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

40V PNP BISS loadswitch

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbls4004v.pdf
90.48Kb
14стр.