Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PBLS2001S

Версия для печати

Технические характеристики PBLS2001S

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 20V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 3A
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA, 100nA
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 1.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PBLS2001S
Универсальные биполярные PNP транзисторы

20V PNP BISS loadswitch

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pbls2001s.pdf
108.29Kb
16стр.