Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IMD16AT108

Версия для печати

Технические характеристики IMD16AT108

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100K, 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
Frequency - Transition 250MHz
Power - Max 300mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-74, SOT-457
Корпус SMT6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.