Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

EMG8T2R

Версия для печати

Технические характеристики EMG8T2R

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Frequency - Transition 250MHz
Power - Max 150mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) EMT5
Корпус EMT5
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.