Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BCR 10PN H6327

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BCR 10PN H6327 106 Заказ радиодеталей

Описание BCR 10PN H6327

TRANS NPN/PNP DGTL 50V SOT363

Технические характеристики BCR 10PN H6327

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Frequency - Transition 130MHz
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус PG-SOT363
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


BCR 10PN H6327.pdf