Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

TIP31B

Версия для печати

Технические характеристики TIP31B

Параметр
Значение
Корпус TO-220
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 3MHz
Power - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Transistor Type NPN
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для TIP31B

Наименование
Кол-во
Цена
 
2SD313 (ИСКРА, ЗАВОД) 266 55.08 руб. 
TIP31C 1080 33.55 руб. 
КТ817В (БРЯНСК) 2620 38.40 руб. 
TIP31

NPN (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS)

Также в этом файле: TIP31B

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

tip31.pdf
224.8Kb
6стр.