PMBT5551

Транзистор биполярный SMD NPN 140V, 0.6A, 0.225W

Технические характеристики PMBT5551

Параметр
Значение
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Power - Max 250mW
Frequency - Transition 300MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru