Параметр |
Значение |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 250mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| 2SC2712 | 19200 | 1.68 руб. (от 100 шт. 0.84 руб.) | |
| IRGB10B60KD (INTERNATIONAL RECTIFIER) | 690 | 100.80 руб. | |
|
PMBT5551 Высоковольтные биполярные транзисторы Npn High-voltage Transistor
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
