MMBTA42LT1
Полевой транзистор SMD NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)Технические характеристики MMBTA42LT1
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru