Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBTA42LT1

Версия для печати Полевой транзистор SMD NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)

Технические характеристики MMBTA42LT1

Параметр
Значение
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 50MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MMBTA42LT1

High Voltage Transistors NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbta42lt1[1].pdf
58.99Kb
8стр.