MMBT6520LT1G


Наименование
Кол-во
Цена
MMBT6520LT1G 40 Заказ радиодеталей

Технические характеристики MMBT6520LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V
Power - Max 225mW
Frequency - Transition 200MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Possible Adhesion Issue 11/July/2008


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru