Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBT3906WT1

Версия для печати

Технические характеристики MMBT3906WT1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Power - Max 150mW
Frequency - Transition 250MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MMBT3904WT1

General Purpose Transistors NPN and PNP Silicon

Также в этом файле: MMBT3906WT1

Производитель:
Motorola, Inc.
//www.freescale.com

mmbt3904wt1[1].pdf
424.19Kb
12стр.