Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBT2369ALT1

Версия для печати Полевой транзистор SMD

Технические характеристики MMBT2369ALT1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 1V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/Jun/2009
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MMBT2369ALT1

Switching Transistors NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmbt2369alt1.pdf
146.43Kb
8стр.