Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BUT11A

Версия для печати Транзистор биполярный большой мощности NPN 1000V, 5A, 80W, Tf<800nS

Технические характеристики BUT11A

Параметр
Значение
Корпус TO-220
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 100W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 450V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
SS8050 37600 1.22 руб. 
BUT11AF

Silicon Diffused Power Transistor

Производитель:
Wing Shing Electronic
//www.wingshing.com

but11af.pdf
73.84Kb
1стр.