BCP55-10
Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=1A, P=1.0W, B=63-160@I=150mA, f>100MHz, -65 to +150C)Технические характеристики BCP55-10
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | SOT-223 |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Power - Max | 960mW |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 63 @ 150mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru