Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BCP55-10

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=60V, Ic=1A, P=1.0W, B=63-160@I=150mA, f>100MHz, -65 to +150C)

Технические характеристики BCP55-10

Параметр
Значение
Корпус SOT-223
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 180MHz
Power - Max 960mW
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BCP55

NPN Silicon AF Transistors (For AF driver and output stages High collector current)

Также в этом файле: BCP55-10

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bcp55.pdf
134.73Kb
5стр.