Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BCP53-16T1

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Технические характеристики BCP53-16T1

Параметр
Значение
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Корпус SOT-223
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 50MHz
Power - Max 1.5W
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BCP53-16T1
Универсальные биполярные PNP транзисторы

PNP Silicon Epitaxial Transistors

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bcp5316t1.pdf
45.41Kb
4стр.