Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC856BLT3

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Технические характеристики BC856BLT3

Параметр
Значение
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BC856ALT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC856BLT3

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc856alt1.pdf
112.6Kb
8стр.