BC850B

Версия для печати Транзистор биполярный SMD NPN 45V, 0,1A, 0,25W, B:200-450

Наименование	Кол-во	Цена
BC850B	2960	4.22 руб.

Описание BC850B

Структура NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус SOT23

Технические характеристики BC850B

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	250mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
BAV199 (DIOTEC)	10429	5.69 руб.
BAV99 (TRR)	152000	1.18 руб.
LM555CM	114	35.90 руб.

BC846AW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BC850BW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bc846aw.pdf
275.51Kb
8стр.