Параметр |
Значение |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power - Max | 225mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 |
|
BC8xxxLTx General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: BC849BLT1
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
