Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC848CLT1

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Технические характеристики BC848CLT1

Параметр
Значение
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification Product Discontinuation 27/Jun/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
DRB-9FA (NXU) 1920 96.83 руб. 
SMA-JR 33720 43.39 руб. 
BC8xxxLTx

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC848CLT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc8xxxltx.pdf
93.81Kb
8стр.