Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC846BLT1

Версия для печати Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C)

Технические характеристики BC846BLT1

Параметр
Значение
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
10BQ100 (HOTTECH) 104000 8.27 руб. 
LM2596S-5.0 800 50.89 руб. 
КП507А 181 39.27 руб. 
BC8xxxLTx

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC846BLT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc8xxxltx.pdf
93.81Kb
8стр.