Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC817-25LT1

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Технические характеристики BC817-25LT1

Параметр
Значение
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BC817-25LT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors NPN Silicon

Также в этом файле: BC817-25LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc81725lt1.pdf
62.39Kb
4стр.