Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC807-40LT1

Версия для печати Транзистор биполярный SMD

Технические характеристики BC807-40LT1

Параметр
Значение
Корпус SOT-23-3
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 225mW
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Transistor Type PNP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BAS21 (YJ) 4800 5.90 руб. 
DL4742A 4400 2.39 руб. 
DL4748A (DC COMPONENTS) 1 25.80 руб. 
BC807-40LT1
Универсальные биполярные транзисторы

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC807-40LT1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

bc80740lt1.pdf
62.8Kb
4стр.