Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC639

Версия для печати Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz

Технические характеристики BC639

Параметр
Значение
Корпус TO-92-3
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BC639

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ503Е 5544 8.40 руб. 

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFP460 (INTERNATIONAL RECTIFIER) 2 360.00 руб. 
BC635

NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current)

Также в этом файле: BC639

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bc635.pdf
130.1Kb
5стр.