Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC556B

Версия для печати Транзистор биполярный малой мощности PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, f>150MHz, -55 to +150C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC556B 30400 1.42 руб. 

Описание BC556B

Vаломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе TO-92. Применяются в самых широких областях электроники.
Основные характеристики BC556B:
 
Структура       P-N-P
Uк-э.макс.      -65V
Uк-б.макс.      -80V
Iк.макс.        100mA
Iк.имп.макс.    200mA
Fгр.            100MHz*
Pрасс.макс.     625mW*
Cк              3pF(тип.)
Шумы            2dB(тип.)..10dB(макс.)
Iк.нач./Iэ.нач. < 15nA / 100nA
Hfe    180..460
Диапазон рабочих температур -55..+150°С *
Аналог ~КТ3107

* - у разных производителей параметры могут отличаться

Технические характеристики BC556B

Параметр
Значение
Корпус TO-92-3
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 150MHz
Power - Max 500mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для BC556B

Наименование
Кол-во
Цена
 
КТ502Д (АЛЕКСАНДРОВ) 3449 2.40 руб. 
BC556

PNP SILICON TRANSISTORS

Также в этом файле: BC556B

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

bc556.pdf
217.49Kb
6стр.