Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | Mini3-G1 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 200mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
2SD1328 Универсальные биполярные транзисторы Silicon NPN epitaxial planar type
Производитель:
|
||
 |
 |
 |
 |
 |
 |
