Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SC460

Версия для печати Биполярный транзистор

Технические характеристики 2SC460

Параметр
Значение
Корпус M-A1
Корпус (размер) M-Type
Тип монтажа Поверхностный
Frequency - Transition 120MHz
Power - Max 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 130 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 30mA, 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Transistor Type NPN
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SC4605
Дискретные сигналы

Npn Epitaxial Type (video Output For Super High Resolution Display High Speed Switching Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sc4605.pdf
94.68Kb
3стр.