2SB1375
Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)Технические характеристики 2SB1375
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Корпус | TO-220NIS |
| Корпус (размер) | TO-220 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Frequency - Transition | 9MHz |
| Power - Max | 2W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru