Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SB1375

Версия для печати Биполярный транзистор Si-P (60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..320)

Технические характеристики 2SB1375

Параметр
Значение
Корпус TO-220NIS
Корпус (размер) TO-220
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 9MHz
Power - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SB1375
Биполярные PNP транзисторы

Transistor (audio Frequency Power Amplifier)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sb1375.pdf
137.68Kb
2стр.