Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SA1680

Версия для печати Биполярный транзистор PNP lo-sat, 50V, 2A, 0.9W

Технические характеристики 2SA1680

Параметр
Значение
Корпус LSTM
Корпус (размер) TO-92-3 (Long Body), TO-226
Тип монтажа Выводной
Frequency - Transition 100MHz
Power - Max 900mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2SA1680

Transistor (power Amplifier, Switching Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sa1680.pdf
137.68Kb
2стр.