Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2SA1162

Версия для печати Биполярный транзистор

Технические характеристики 2SA1162

Параметр
Значение
Frequency - Transition 80MHz
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Transistor Type PNP
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус S-Mini (2.9x2.5)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF3205 4061 28.52 руб. 
2SA1162
Интегральные схемы

Transistor (audio Frequency General Purpose Amplifier Applications)

Производитель:
Toshiba Semiconductor
//www.semicon.toshiba.co.jp

2sa1162.pdf
137.68Kb
2стр.