Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTD123EK

Версия для печати

Технические характеристики PDTD123EK

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SMT3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTD123E

NPN 500 mA, 50V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kW, R2 = 2.2 kW

Также в этом файле: PDTD123EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdtd123e.pdf
66.85Kb
10стр.