Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTC144EK

Версия для печати Транзистор NPN цифровой (Uce=50V, Ic=100mA, R1=R2=47K, B>80 @I=5mA, P=250mW, -65 to +150C)

Технические характеристики PDTC144EK

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SMT3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTC144E
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 k ohm, R2 = 47 k ohm

Также в этом файле: PDTC144EK

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdtc144e.pdf
92.32Kb
14стр.