Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTC143ZU

Версия для печати

Технические характеристики PDTC143ZU

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTC143Z
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kW, R2 = 47 kW

Также в этом файле: PDTC143ZU

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdtc143z.pdf
92.19Kb
14стр.