Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTC143TT

Версия для печати

Технические характеристики PDTC143TT

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
GS1M (PANJIT) 13280 5.75 руб. 
LM317 (HOTTECH) 2000 21.75 руб. 
TOP243YN (PI) 5498 324.00 руб. 
PDTC143T
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open

Также в этом файле: PDTC143TT

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdtc143t.pdf
90.88Kb
14стр.