Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTC114ES

Версия для печати

Технические характеристики PDTC114ES

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 500mW
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус TO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTC114ES

Npn Resistor-equipped Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdtc114es.pdf
70.87Kb
8стр.