Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTA124XM

Версия для печати

Технические характеристики PDTA124XM

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-101, SOT-883
Корпус SC-101
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTA124X
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kohm, R2 = 47 kohm

Также в этом файле: PDTA124XM

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdta124x.pdf
92.16Kb
14стр.