Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTA123YT

Версия для печати

Технические характеристики PDTA123YT

Параметр
Значение
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
PDTA123YT
Биполярные транзисторы с резисторным каскадом

PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 10 k

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

pdta123yt.pdf
42.78Kb
7стр.