Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MUN5211T1G

Версия для печати

Технические характеристики MUN5211T1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 310mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSS138 89600 1.38 руб. 
BSS84 22000 1.56 руб. 
BZX84-C2V4.215 (NXP) 613 2.40 руб. 
ST1S10PHR (ST MICROELECTRONICS) 2301 204.00 руб. 
MUN52xxT1
Универсальные биполярные транзисторы

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

Также в этом файле: MUN5211T1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mun52xxt1.pdf
139.09Kb
10стр.