Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMUN2212LT1

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2212LT1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 246mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
MMUN2211LT1

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network

Также в этом файле: MMUN2212LT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

mmun2211lt1.pdf
108.26Kb
12стр.