MMUN2211LT1G

Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23

Наименование
Кол-во
Цена
MMUN2211LT1G (ON SEMICONDUCTOR) 4554 2.88

Технические характеристики MMUN2211LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 246mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru