Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMUN2113LT1G

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2113LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 400mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BCR112 (INFINEON) 80 6.04 руб. 
KAN1211-0801B 12X12X8 MM 144872 4.09 руб. 
NUP2105LT1G 2360 22.48 руб. 
SWT-9 14 32.76 руб.