Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DTC143ZET1

Версия для печати

Технические характеристики DTC143ZET1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-75, SOT-416
Корпус SC-75
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
DTC114EET1
Универсальные биполярные транзисторы

Bias Resistor Transistor

Также в этом файле: DTC143ZET1, DTC143ZET1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

dtc114eet1[1].pdf
106.36Kb
10стр.