Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

DTC124EET1

Версия для печати

Технические характеристики DTC124EET1

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Power - Max 200mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-75, SOT-416
Корпус SC-75
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
DTC114EET1
Универсальные биполярные транзисторы

Bias Resistor Transistor

Также в этом файле: DTC124EET1, DTC124EET1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

dtc114eet1[1].pdf
106.36Kb
10стр.